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刻蝕設備的國產化率較低，但中微和華創等企業已經開始尋求國產設備，并且國產化率有望在2024年后增長。不同材料需要不同的刻蝕工藝步驟，LED等制程要求較低的設備更愿意購買被淘汰下來的舊設備，而碳化硅等制程要求較高的設備則需要更高性能的設備。國產化刻蝕環的需求較高，但需要時間突破難點，企業更愿購買經過認證的零部件以降低成本。實體碳化硅的國產化市占率仍較低，但碳化硅在車規芯片中使用，因為其穩定性較好且可承受壓力較大。華為因為受到美國禁令的影響，開始自研刻蝕設備，目前已有成型的蝕刻機產品，在華為的工廠中進行生產。金屬刻蝕的設備占比較小的原因是因為銅與鋁的特性不同，銅比較軟，不方便進行蝕刻，后來人們利用介質的方式把銅定義成原本要蝕刻的形貌。對于傳統硅芯片制程，中芯國際現在能夠做到14納米和7納米級別，但其成本較高，良率較低，要實現更低納米的芯片制程，需要先更新機臺，以滿足更多的功能需求。

1.刻蝕設備的國產化率較低，但中微和華創等企業已經開始尋求國產設備，并且國產化率有望在2024年后增長。國產化刻蝕環的需求較高，但需要時間突破難點，企業更愿購買經過認證的零部件以降低成本。實體碳化硅的國產化市占率仍較低，但碳化硅在車規芯片中使用，因為其穩定性較好且可承受壓力較大。對于碳化硅和藍寶石等機器設備，國產化率相對較低，因為這種制程比較小眾化。

2.刻蝕設備的種類包括硅、多晶硅、介質材料和金屬材料等，不同材料需要不同的刻蝕工藝步驟。LED等制程要求較低的設備更愿意購買被淘汰下來的舊設備，而碳化硅等制程要求較高的設備則需要更高性能的設備。金屬刻蝕的設備占比較小的原因是因為銅與鋁的特性不同，銅比較軟，不方便進行蝕刻，后來人們利用介質的方式把銅定義成原本要蝕刻的形貌。

3.刻蝕設備的市場需求差異較大，LED等制程要求較低的設備更愿意購買被淘汰下來的舊設備，而碳化硅等制程要求較高的設備則需要更高性能的設備。對于傳統硅芯片制程，中芯國際現在能夠做到14納米和7納米級別，但其成本較高，良率較低，要實現更低納米的芯片制程，需要先更新機臺，以滿足更多的功能需求。

4.華為因為受到美國禁令的影響，開始自研刻蝕設備，目前已有成型的蝕刻機產品，在華為的工廠中進行生產。華為的產業較大，希望像英特爾一樣建立自己的工廠，其中青島有1家，上海有1家，北京有1家，廣州有3家，華為要自研設備，設備的研發比工廠的建立更困難。

5.對于碳化硅和藍寶石等機器設備，國產化率相對較低，因為這種制程比較小眾化，像碳化硅和氮化鎵被認為是第3代半導體，而國產化比例較低，但隨著國內晶圓廠的增多和政策的變化，國產化比例有望提高?？涛g環是一種定制化的產品，不同廠家的腔體底站不同，需要定制化的刻蝕環來適應腔體。刻蝕環的質量對于設備的穩定運行非常重要，設備廠商會考慮質保問題，同時也會尋求零部件替代商，以控制成本。國內的刻蝕設備廠商主要有中微、華創和一堂等，其中中微和華創是龍頭企業，國產化比例較高?？涛g環的價格占整個工藝的成本比例較高，設備廠商有動力進行更好的替代，國產化替代率有望提高?？涛g環需要進行精密加工，技術門檻較高，但國內已經形成相關產業鏈，企業可以尋求國內的耗材廠商進行合作?？涛g環的需求較高，國產化替代率有望提高，但需要一定時間來突破技術難點?？涛g環的替代成本是必須的，設備廠商需要進行擴展，國內企業和耗材廠商的合作將有助于提高國產化比例。

1.國產化比例較低，但隨著國內晶圓廠的增多和政策的變化，國產化比例有望提高。目前國內的龍頭企業中微和華創的設備中80%+的零部件是進口的，但隨著國內晶圓廠的增多和政策的變化，國產化比例有望提高。在2020年之前，中微以及華創沒有意識到設備的國產化，但現在國內晶圓廠的增多和政策的變化，使得國產化比例有望提高。

2.刻蝕環是一種定制化的產品，不同廠家的腔體底站不同，需要定制化的刻蝕環來適應腔體。刻蝕環與托盤不同，不同廠家腔體的底站不同，所以需要定制化的刻蝕環來適應腔體。刻蝕環需要進行精密加工，包括表面粗糙度、背面粗糙度以及機加工等方面，因為刻蝕環上有很多高低不平的部分以及阻抗等方面，例如碳化硅等顆粒的大小和間距的控制等。

3.刻蝕環的質量對于設備的穩定運行非常重要，設備廠商會考慮質保問題，同時也會尋求零部件替代商，以控制成本。生產環設備廠商合作，設備廠商會建議公司購買經過認證的零部件?？涛g環的價格占整個工藝的成本比例較高，設備廠商有動力進行更好的替代，國產化替代率有望提高。刻蝕環的替代成本是必須的，設備廠商需要進行擴展，國內企業和耗材廠商的合作將有助于提高國產化比例。

4.國內的刻蝕設備廠商主要有中微、華創和一堂等，其中中微和華創是龍頭企業，國產化比例較高。中微以及華創的設備中80%+的零部件是進口的，但隨著國內晶圓廠的增多和政策的變化，國產化比例有望提高。一堂直接購買美國的設備，目前在國內各個晶圓廠中的市場占有率遠遠低于中微和華創。

5.刻蝕環需要進行精密加工，技術門檻較高，但國內已經形成相關產業鏈，企業可以尋求國內的耗材廠商進行合作?？涛g環的價格占整個工藝的成本比例較高，設備廠商有動力進行更好的替代，國產化替代率有望提高?？涛g環的需求較高，國產化替代率有望提高，但需要一定時間來突破技術難點。刻蝕環的替代成本是必須的，設備廠商需要進行擴展，國內企業和耗材廠商的合作將有助于提高國產化比例。

美國政策限制了尖端部件的銷售，推動了國產化項目和尋找較好的配件供應商。中國腔體未來每年出貨的數量相對較低，但在技術突破和國產設備達到國外水平的情況下，出貨量會有增長。全球市場供給較為飽和，AI和汽車芯片市場是較大的增長點，但只能被少數頭部公司占據市場。設備廠商選擇耗材的依據主要是耗材的知名度和在業界的口碑，以及品控做得比較好且市場占有率較高的廠商進行合作。

1.美國政策限制了尖端部件的銷售，這促使設備廠商和下游的零配件廠商聯合起來，推動國產化項目，尋找較好的配件供應商。雖然設備廠商本身天然缺乏動力，但下游的需求使得他們需要考慮提高設備標準以適應市場，這樣才更有優勢。

2.中國腔體未來每年出貨的數量相對較低，但在技術突破和國產設備達到國外水平的情況下，出貨量會有增長。最近因為美國的政策，很多公司都在積極和其他公司做合作開發，例如中芯國際、華為以及長江存儲。如果有一些技術上的突破，國產設備能達到國外的水平，在這些公司的擴產過程中，公司會選擇國產設備，2024年以后出貨量會有一波增長。

3.全球市場供給較為飽和，目前整個市場都比較低迷。AI和汽車芯片市場是較大的增長點，但只能被少數頭部公司占據市場。因此，設備廠商需要考慮如何提高設備標準以適應市場，以及如何選擇合適的耗材廠商進行合作。

4.設備廠商選擇耗材的依據主要是耗材的知名度以及在業界的口碑。在選擇耗材時，公司會先問哪些耗材廠商有大量的量產，會查看這些公司是否具有一定知名度。同時，如果競爭對手也選擇了該廠商，公司會選擇品控做得比較好且市場占有率較高的廠商進行合作。

設備廠商的商務關系驅動耗材選擇，下游廠商可選擇原廠或替代品，刻蝕機數量因公司而異，碳化硅耗材國產化率低，進口實體碳化硅刻蝕環單價高，國產實體碳化硅刻蝕環單價低，質保期內使用原廠耗材是必要條件。

1.設備廠商的商務關系是決定采用哪種耗材的主要驅動因素。

2.下游設備廠商可以直接對接原廠耗材，也可以自己尋找替代品。

3.刻蝕機數量因公司而異，一般1個機臺掛4個腔體。

4.沒有了解LED和碳化硅的腔體數量。

5.實體碳化硅的耗材國產化率低于5%。

6.進口實體碳化硅的刻蝕環單價為0.8-1萬元，國產實體碳化硅的刻蝕環單價為6,000-7,000元。

7.在質保期內，設備廠商要求客戶使用原廠耗材，否則將停止質保期。

8.設備廠商的商務關系驅動耗材選擇，下游廠商可選擇原廠或替代品，刻蝕機數量因公司而異，碳化硅耗材國產化率低，進口實體碳化硅刻蝕環單價高，國產實體碳化硅刻蝕環單價低，質保期內使用原廠耗材是必要條件。